数据中心服务器、存储和内存解决方案

今天, 美光DDR5的有效带宽是DDR4的两倍，将为下一代服务器和客户端处理器提供动力. 随着核数的不断增加，DDR5将使当前和未来的数据中心处理器能够维持每核带宽. 与DDR4相比，新的DRAM方法和技术, 比如银行和银行集团的两倍, 爆发长度加倍, 和决策反馈均衡(DFE)都有助于实现更高的数据速率，并使DDR5能够在未来几年扩展性能.

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DDR4是最好的主流一代DRAM技术, 以节能为中心的新功能, 性能增强, 可制造性, 提高可靠性. 这些新特性提高了性能, 权力, 可制造性, 企业的可靠性和堆叠能力, 云, 超薄, 平板电脑, 汽车和嵌入式市场. 数据速率高达3200 MT/s，工作电压为1.2v and additional 权力 saving features; DDR4 increases performance up to 50% while delivering total energy savings as high as 25% compared to DDR3.

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专为对停机时间敏感且需要高性能以频繁访问大型数据集的应用程序而设计, nvdimm结合了DRAM的速度, 将NAND的持久存储和可选电源集成到单个存储子系统中，从而提高系统性能和可靠性. nvdimm是大数据分析的理想选择, 存储设备, RAID缓存, 内存数据库和在线事务处理.

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性能-密度-可靠性

实现减载dimm (lrdimm)使您能够为每个通道添加更多dimm，并提高系统的内存容量和速度. 我们的lrdimm使用特殊设计的缓冲区将数据负载减少到单个负载(最多8级DIMM)。, 而标准rdimm为双秩和四秩版本提供多个负载，并限制可以加载到数据总线的数据量.

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高速-可伸缩性能-低延迟

探索最完整的高性能、高带宽存储器沙巴体育结算平台组合. 美光(微米)重新设计了内存，以加速下一代显卡和游戏机, 您的高性能计算, 人工智能系统, 以及专业的可视化工作站.

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密度-成本效益

美光的3D NAND技术采用创新的工艺架构，容量是平面NAND技术的3倍，同时提供更好的性能和可靠性.

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